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CVD(Chemical Vapor Deposition)その1:CVDとALD

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2018/08/07



CVD(化学気相成長、化学蒸着)による膜生成法は幅広い用途に活用されています。
シラン、有機金属、金属錯体などの揮発性前駆体を加熱した基板(基材)表面に流し、前駆体を熱分解させ薄膜形成させる方法です。
光ディスク製造に適し、良好なスケーラビリティ、再現性、均一性に定評があります。成膜速度も速く、高精度に組成制御を行えます。
CVD法は他の薄膜生成技術と比較して幾つも重要な利点を持っています。
中でも注目すべき点は選択的蒸着および低温成膜が可能であることです。

とはいえ、標準的なCVD法だと記憶媒体の高アスペクト比トレンチに被膜させる場合には材料が表層に堆積してしまい、蒸着困難となることもあります。
このようなマイクロエレクトロニクスデバイス向け薄膜形成には特殊なCVD法の一種、ALD(atomic layer deposition; 原子層堆積)法が一般的に用いられます。
ALD法は膜均一性および堆積膜厚の微細な制御が可能です。段差被覆性に特に優れており、湾曲した基板上にもルーティンでフィルム成膜できます。

Gelest社は、マイクロエレクトロニクス分野でのCVD法適用のための金属有機前駆物質を提供します。
シリコン、銅、アルミニウム、チタン、タンタルおよびタングステンなど一般的な金属前駆体は揮発性固体または液体であり、典型的なCVDまたはALD法適用過程においては金属薄膜(主に金属相互接続構造または拡散バリア層)の堆積に使用されます。

以上のCVDに関する製品につきましては、Gelestアプリケーション「Chemical Vapor Deposition」を参照下さい。
ご質問やお見積もりのご依頼などございましたら、弊社お問合せフォームよりご連絡ください。

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