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CVD(Chemical Vapor Deposition)その2:シランを用いたCVD法

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2018/08/30



CVD(Chemical Vapor Deposition)その1:CVDとALD

シランは無水の非プロトン性条件下でCVD法による蒸着が可能です。この方法は単分子層形成に好んで採用されます。
条件を適切に整えれば、ほとんどすべてのシランを気相状態で基材と反応させることができます。
一般には 100℃での蒸気圧が5 Torrより大きいシランがよく使われます。

密閉されたチャンバー内にてシランのリザーバー上または近傍に基板を保持し、
蒸気圧が 5 mmHg となるまでリザーバーを加熱するかシランの蒸発が始まるまで減圧します。
別の方法として、シランをトルエンに溶解し、トルエンの還流による分圧の寄与を利用してシランを気相状態にします。
基板の温度を50~120℃に保ち反応を促進させます。環状アザシランの蒸着は最も早く進み、通常5分以内に完了します。
アミン反応性シランは触媒がなくても早く(30分)堆積します。
その他のシランは長い反応時間を要し、通常4~24時間かかります。
触媒量のアミンを加えると反応が促進します。

種々の前駆体や反応性ガスを使用することにより、様々な組成の膜を生成できます。
SnO2(酸化スズ)膜、ZnO(酸化亜鉛)膜、およびPt(白金)膜は、それぞれ以下の前駆体および反応ガスを用いて形成することができます:
SnO2膜…テトラメチルスズと酸素
ZnO膜…ジエチル亜鉛と酸素
Pt膜…シクロオクタジエンジメチル白金 (Ⅱ)({COD} PtMe2)と水素

Gelest社は、マイクロエレクトロニクス分野でのCVD法適用のための金属有機前駆物質を提供します。
シリコン、銅、アルミニウム、チタン、タンタルおよびタングステンなど一般的な金属前駆体は揮発性固体または液体であり、典型的なCVDまたはALD法適用過
程においては金属薄膜(主に金属相互接続構造または拡散バリア層)の堆積に使用されます。

その他、Gelest社は金属アルコキシド、ジケトン化合物、金属アミド、アルキル化合物、ハロゲン化物などの製品ラインナップも充実しています。
気相中の揮発性または反応性有機金属化合物前駆体がCVD法による金属またはその酸化物/窒化物膜形成に適用されます。

以上のCVDに関する製品につきましては、Gelestアプリケーション「Chemical Vapor Deposition」を参照下さい。
ご質問やお見積もりのご依頼などございましたら、弊社お問合せフォームよりご連絡ください。

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